由於氮化鎵元件在許多不同應用中普及，因此業界繼續積累氮化鎵元件可靠性的測試統計數據，以及研究氮化鎵元件（包括積體電路（IC））發生故障的基礎物理學。此外，還需要從真實世界的經驗中尋找相關的信息，這些信息要麽證實了實驗室得出的數據，要麽引發了關於元件實現任務穩健性的新問題。第15階段產品可靠性測試報告記錄了使用測試產品至失效的測試方法的持續工作，以及增加了氮化鎵元件在太陽能優化器、光達傳感器和DC/DC轉換器的具體可靠性指標和預測。
Ricardo Garcia，Siddhesh Gajare博士、Angel Espinoza、Max Zafrani、Alejandro Pozo博士和Shengke Zhang博士
本報告涵蓋的內容：
- 第1節：閘極上的電壓/溫度應力
- 第2節：汲極上的電壓/溫度應力
- 2.1基於物理的動態RDS(on) 和產品壽命模型
- 2.2開關頻率和開關電流的影響
- 2.3較高應力電壓的影響
- 2.4基於物理的動態RDS(on) 模型的結論
- 第3節：安全工作區
- 第4節：短路穩健性測試
- 第5節：機械應力
- 5.1晶片剪切試驗
- 5.2背面壓力試驗
- 5.3彎曲力試驗
- 第6節：熱機械應力
- 6.1選擇合適底部填充物料的標準
- 6.2溫度循環下的底部填充物料研究
- 6.3元件間歇工作的壽命研究
- 6.4選擇底部填充物料指南
- 第7節：基於矽基氮化鎵元件的雷射驅動器的可靠性測試結果
- 7.1大電流脉衝下的元件長期穩定性
- 7.2使用單片矽基氮化鎵元件的雷射驅動器IC
- 7.2.1鑒定產品測試概述
- 7.2.2測試產品至失效的各種方法
- 7.2.3用於光達應用的eToF雷射驅動器IC的關鍵應力
- 7.2.4 VDD 、邏輯電源電壓
- 7.2.5 VD、雷射驅動電壓
- 7.2.6工作頻率
- 第8節：使用測試元件至失效方法、對元件性能的準確預測
eGaN元件如何在太陽能應用中持續工作25年以上
- 8.1閘極應力
- 8.2汲極應力
- 8.3熱機械應力
- 8.4宇宙射綫
- 第9節：DC/DC轉換器
- 9.1與電流相關、熱電子俘獲模型
- 9.2 48 V/12 V LLC同步整流器
- 9.2.1 40 V 氮化鎵電晶體——情况1和2
- 9.2.2 30 V 氮化鎵電晶體——情况3和4
- 9.3 48 V/12 V降壓轉換器
- 9.3.1低側氮化鎵電晶體
- 9.3.2高側氮化鎵電晶體
- 9.4將模型應用於重要的現實世界的案例總結
- 第10節：總結
- 參考文獻