宜普公司宣佈推出全新氮化鎵（eGaN）産品系列的第一個整合式半橋元件。這些單片式氮化鎵元件在一個半橋配置連接一個頂部及底部場效應電晶體，與目前任何MOSFET或分離式GaN FET相比，可實現更快速開關、更小尺寸及更高效率。