氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)及積體電路如何驅動雷射雷達應用?

當今極具成本效益的雷射雷達系統得以發展的其中一個重要因素,是使用了高性能的氮化鎵電晶體,這些電晶體使得雷射驅動器具備超快速開關及大電流脈衝等特性。

該視頻在2019年9月26日車用雷射雷達研討會上錄影,由EPC公司的應用工程總監John Glaser主講,內容是關於100 V、大電流、含脈衝式雷射二極體驅動器及具備超快速開關性能的氮化鎵場效應電晶體及積體電路的EPC9126評估板。氮化鎵電晶體及積體電路所具備的脈衝功率,其驅動雷射的速度,比等效MOSFET可以快速高達10倍!