基於氮化鎵元件的應用 -- 演示影片5：面向48 V–POL DC/DC轉換的eGaN FET、積體電路及模組

重新考慮採用氮化鎵技術的伺服器功率結構。 氮化鎵元件可以省卻目前所需的中間匯流排轉換器（IBC）。本影片演示：1）採用TI的氮化鎵基模組在40 A時實現單級轉換：從48 V直接到1 V；及2）採用eGaN積體電路在20 A時從48 V直接到1.8 V的單級硬開關降壓轉換器。