在150 V - 12 V DC/DC轉換採用GaN FET 與MOSFET的比較

EPC的產品再一次擊敗矽基MOSFET功率元件，實現更高的性能而同時縮小元件的尺寸及降低成本。本影片展示出200 V的 GaN FET與等效MOSFET相比，GaN FET的性能更高、大大減小佔板面積（元件的尺寸縮小15倍）、功耗低出40%及提高功率密度達3倍。