如何使用氮化鎵器件：採用DrGaNPLUS簡化設計及提高效率 Posted 2014年6月27日 本章將討論我們設計的氮化鎵場效應電晶體（eGaN®FET）模組使得電源轉換系統設計師很容易可對具超卓性能的氮化鎵電晶體進行評估 EEWeb 作者：Alex Lidow 2014年6月 相關的熱門文章 基於氮化鎵元件的功率轉換解決方案著眼於下一代應用 Podcast: EPC’s Progress in GaN Reliability in RadHard and New Space Applications GaN’s Evolution from Science Project to Mainstream Power Conductor eBook: The Next Silicon Frontier The True Cost of Global Energy