雙路增強型120 V、60 mΩ氮化鎵積體電路(EPC2110)可實現超高頻開關,從而推動採用E類放大器拓撲的無線電源傳送應用實現優越性能。

宜普電源轉換公司(www.epc-co.com.tw )推出增強型氮化鎵IC系列的最新成員-- EPC2110。

EPC2110是一種具有120 V_DS、20 A的雙路共源極元件，它採用非常纖薄的封裝(1.35 mm x 1.35 mm)，於閘極施加5 V電壓時的最高R_DS(on)為60 mΩ。由於EPC2110具備超高開關頻率、超低R_DS(on)、異常低的Q_G及採用非常纖薄的封裝，因此這種氮化鎵IC可以實現高性能。

與最先進、具相同的導通電阻的功率MOSFET相比，EPC2110細小很多，而且它的開關性能比MOSFET高出很多倍。受惠於這種高性能eGaN^® IC的應用包括超高頻DC/DC轉換、同步整流、D類音訊放大器及尤其是無線電源傳送應用。

EPC2110在批量為一千片時的單價為1.06美元可立即透過Digikey公司購買。 Digikey公司購買。

關於氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)的設計資訊及支援

• 下載EPC2110數據表
• 下載設計支援資料包括應用筆記及白皮書
• 無線電源手冊
• 面向於無線電源應用的eGaN FET系列

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增强型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商，爲首家公司推出替代功率MOSFET元件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括直流-直流轉換器、 無線電源傳送、 波峰追蹤、射頻傳送、功率逆變器、 光學遙感技術（LiDAR） 及 D類音訊放大器等應用，元件性能比最好的矽功率MOSFET元件高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站，網址爲www.epc-co.com.tw 。

商標

eGaN^® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

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Winnie Wong ( [email protected])

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