面向多種功率應用的氮化鎵電晶體 Posted 2020年3月28日 矽功率MOSFE追不上目前功率電子業界的演進步伐 -- 業界需要具備高效、高功率密度及細小的外型尺寸的元件。業界看到矽MOSFET已經達到它的理論極限，從而需要找出全新元件。氮化鎵（GaN）是一種HEMT元件，具備附加增值的優勢，被證明為可以支持全新應用的要求。 Power Electronics News 2020年3月25日 閱讀全文 相關的熱門文章 GaN Devices for Smaller, Lighter, Smoother Motor Drives 氮化鎵元件緩解了矽元件的問題 GaN vs. Silicon Smackdown CES 2022: GaN Technology for the Next Future Using GaN FETs can be as simple as using Silicon FETs – an example in 48V systems