氮化鎵與48 V應用 – 目前的發展及何去何從？ Posted 2020年4月6日 中壓氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）的成本在三年前已經比等效額定功率MOSFET器件的成本更低。當時，EPC公司決心利用氮化鎵場效應電晶體的性能及成本效益優勢，積極研發及支持48 V輸入或輸出的應用。車用及電腦應用的48 V 轉換逐漸成為全新的架構，也成為了功率系統的全新標準。 Power Systems Design 2020年3月31日 閱讀全文 相關的熱門文章 CES 2022: GaN Technology for the Next Future 採用GaN技術的電源轉換 功率半導體戰爭開始了 GaN’s Evolution from Science Project to Mainstream Power Conductor Dispelling Myths: Don’t believe it when they say you need a bipolar gate drive for eGaN FETs