氮化鎵技術提高數據中心的功率密度 Posted 2022年3月26日 當數據中心的伺服器轉用48 V架構,氮化鎵電晶體可以替代目前的矽MOSFET元件,性能得以進一步提升和成本可以更低。 Data Center Dynamics 2022年3月 閱讀文章 相關的熱門文章 寬能隙元件建構高效節能綠世界 Power Bricks Get an Efficiency Boost with GaN 採用 eGaN FET 的高效、高密度1/8 磚 1 kW LLC 諧振轉換器 功率半導體戰爭開始了 EPC: Ahead of the Pack