小型化的低壓 GaN FET的準確表徵 Posted 2023年7月25日 低壓 GaN FET 可實現更小、冷却要求最小化和效率更高的解決方案 與採用傳統的矽基功率 MOSFET的應用相比，低壓 GaN FET（即 100 V）可實現更小，冷却要求最小化和效率更高的解決方案。 本文討論了氮化鎵元件如何應對動態性能需要重複和可靠的表徵的挑戰。 定制氮化鎵夾具和測試板的機械和電氣設計仔細、周全，就可以克服其中許多挑戰，使您能够在設計功率轉換器時，自信地使用這些新型寬能隙元件。 Power Electronics News 2023年7月 閱讀文章 相關的熱門文章 Thermal Management of Chip-Scale GaN Devices Layout Considerations for GaN Transistor Circuits 採用晶片級封裝的氮化鎵元件熱建模 氮化鎵電晶體簡化大電流馬達控制逆變器的設計 In-situ RDS(on) Characterization and Lifetime Projection of GaN HEMTs under Repetitive Overvoltage Switching