在功率转换、电机驱动和激光雷达等应用中，15 V至350 V范围内的氮化镓（GaN）异质结场效应功率晶体管显示出比硅具有显著优势的，无论是在效率、尺寸、速度和成本方面。这些优势源于关键电场的数量级比硅高出一个数量级，具体而言，尤其是高三倍的带隙方面有3倍的优势，和高1.3倍的电子迁移率方面有1.3倍的优势。

Bodo’s Power Systems 2023年9月
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