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宜普拚GaN成本優勢目標超車Si MOSFET

宜普拚GaN成本優勢目標超車Si MOSFET

宜普電源轉換公司聯合創辦人暨執行長Alex Lidow接受DIGITIMES專訪,提到GaN主要會被應用在650V及以下市場。反之碳化矽則是主導650V以上的市場,它可望取代矽基絕緣閘極雙極性電晶體。宜普也在開發對速度及尺寸特性極為要求的400V以下市場。且致力於製造比Si功率元件擁有更高性能、更具成本競爭力的GaN元件。

DIGITIMES Asia
2023年9月
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