EPC推出採用緊凑型QFN封裝( 3 mm x 5 mm)的100 V、1 mOhm GaN FET (EPC2361)，助力DC/DC轉換、快充、馬達控制和太陽能 MPPT等應用實現更高的功率密度。

2024 年 2 月27日 — 全球增强型氮化鎵 (GaN) 功率 FET 和 IC領域的領導者宜普電源轉換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm （EPC2361）。 這是市場上具有最低導通電阻的 GaN FET，與 EPC 的上一代産品相比，功率密度提高了一倍。

EPC2361 的R_DS(on) 典型值只有1 mOhm，採用耐熱的QFN封裝，頂部裸露，封裝面積只有3 mm x 5 mm。 EPC2361的R_DS(on) 最大值x 面積僅為15 mΩ*mm²  – 比等效100 V 矽 MOSFET的體積小超過五倍。

憑藉超低導通電阻，EPC2361可在電源轉換系統中實現更高的功率密度和更高的效率，從而降低能耗和散熱。 它為多種應用諸如高功率 PSU AC/DC同步整流、數據中心的高頻 DC/DC 轉換、電動汽車、機器人、無人機和太陽能 MPPT 的馬達控制器，帶來突破性的性能。

宜普電源轉換公司的首席執行長兼聯合創始人 Alex Lidow表示：「EPC的新型1 mΩ GaN FET 突破了氮化鎵技術的極限，助力客戶創建更高效、更小和更可靠的電力電子系統。」

開發板

EPC90156 開發板是一款採用半橋EPC2361 GaN FET ，專為100 V 最大元件電壓和 65 A 最大輸出電流而設計，旨在簡化功率系統設計人員對氮化鎵元件的評估過程，以加快產品的上市時間。 此板的尺寸為2”x 2” (50.8 mm x 50.8 mm) ，專為實現最佳開關性能而設計，而且包含所有關鍵組件以便於評估。

價格和供貨情况

EPC2361以3000片爲單位批量購買時，每片價格爲4.60 美元。

EPC90156 開發板的單價爲 200美元。

若要訂購EPC產品，您可透過 EPC 的授權經銷合作夥伴購買或您可以直接向 EPC 網站訂購。

有興趣用GaN解決方案替換其矽MOSFET的設計人員可使用EPC GaN Power Bench的交互參照搜尋工具，根據您所需的特定工作條件，我們會推薦合適的替代方案。交互參照搜尋工具可在以下網頁找到：交互參照搜尋 (epc-co.com)。

關於宜普電源轉換公司

宜普電源轉換公司（EPC）是基於增強型氮化鎵（eGaN^®）的功率管理元件的領先供應商，氮化鎵(eGaN)場效應電晶體及積體電路的性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍，其目標應用包括直流- 直流轉換器、光達（LiDAR）、用於電動運輸、機器人和無人機的馬達控制器，以及低成本衛星等應用。此外，宜普電源轉換公司繼續擴大基於eGaN IC的產品系列，為客戶提供進一步節省佔板面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com 。eGaN^® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。關注EPC社交媒體: LinkedIn、YouTube、Facebook、Twitter、Instagram和優酷。

聯絡方式 ：

宜普電源轉換公司（EPC）：Winnie Wong ([email protected])