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使用EPC新款50V GaN FET設計更高功率密度的USB-C PD應用,尺寸僅為1.8 mm2

使用EPC新款50V GaN FET設計更高功率密度的USB-C PD應用,尺寸僅為1.8 mm2

EPC推出了50V、8.5mOhm的EPC2057 GaN FET,尺寸僅為1.5mm x 1.2mm,為USB-C PD應用提供了更高的功率密度。

加利福尼亞州埃爾塞貢多—2024年6月—EPC是增強型氮化鎵(GaN) 功率FET和IC的全球領導者,推出了50V、8.5mΩ的EPC2057。該GaN FET專為滿足高功率USB-C設備的不斷發展需求而設計,包括消費電子、車載充電和電動出行設備。

主要特性和優勢:

  • 高效率:新的50V GaN FET具有超低導通電阻,僅為8.5mΩ,大大減少了功率損耗並提高了整體效率。
  • 高效率:其小巧的尺寸非常適合空間受限的應用,使得電源適配器和充電器更加小巧高效。
  • 快速開關:GaN技術實現了更快的開關速度,提高了功率密度並減少了被動元件的尺寸,使得設計更加緊湊和輕便。

“隨著USB-C PD的普及,高效、緊湊、高性能的電源解決方案至關重要。我們的新GaN FET滿足這些需求,提供可靠高效的解決方案,提升性能,”EPC CEO兼聯合創始人Alex Lidow說道。

行業影響

隨著USB-C PD的採用不斷增加,對能夠提供更高效率和性能的電源組件需求日益增長,同時還需減小尺寸和熱量產生。EPC的新GaN FET旨在滿足這種需求,提供比傳統硅基FET更優越的替代方案。

開發板

EPC90155開發板是一個半橋,採用EPC2057 GaN FET。其設計最大工作電壓為40V,最大輸出電流為10A。該板旨在簡化電源系統設計師的評估過程,加快其產品的上市時間。這個2” x 2”(50.8mm x 50.8mm)的板子設計為優化開關性能,並包含所有關鍵組件,便於評估。

價格和供貨情況

EPC2057在2.5K批量中每個價格為$0.67。

EPC90155開發板每個價格為$200.00。

產品可通過EPC的任何分銷合作夥伴購買,或直接從EPC網站訂購。

有興趣用GaN解決方案替換其硅MOSFET的設計師可以使用EPC GaN Power Bench的交叉參考工具,根據其獨特的工作條件找到建議的替代品。交叉參考工具可在這裡找到。

關於宜普電源轉換公司

宜普電源轉換公司(EPC)是基於增強型氮化鎵(eGaN®)的功率管理元件的領先供應商,氮化鎵(eGaN)場效應電晶體及積體電路的性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍,其目標應用包括直流- 直流轉換器、光達(LiDAR)、用於電動運輸、機器人和無人機的馬達控制器,以及低成本衛星等應用。此外,宜普電源轉換公司繼續擴大基於eGaN IC的產品系列,為客戶提供進一步節省佔板面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com 。eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。關注EPC社交媒體: LinkedInYouTubeFacebookTwitterInstagram優酷

聯絡方式 :

宜普電源轉換公司(EPC):Winnie Wong ([email protected])