這款超低導通電阻0.28 mΩ的eGaN® FET具有22 V瞬態電壓額定值，可為先進的大電流DC-DC轉換器實現更高效率、1 MHz或更高的開關頻率以及更高的功率密度。
美國加利福尼亞州埃爾塞貢多市 – 2026年8月20日 – 增強型氮化鎵（eGaN®）功率元件領域的領導者宜普電源轉換公司（EPC）今天宣布量產EPC2370，這是一款超低導通電阻的18 V eGaN® FET，旨在提高下一代AI伺服器電源的效率和功率密度。EPC2370具有22 V瞬態電壓額定值，因此可取代額定電壓高達25 V的MOSFET。
AI電源架構正向800 VDC配電轉型，並採用工作頻率為1 MHz的6 V高功率密度、多千瓦級中間匯流排轉換器。EPC2370採用EPC第七代GaN平台開發，具有業界領先的101 A連續電流額定值、0.28 mΩ典型Rdson、26 nC閘極電荷以及超低開關損耗，並採用緊湊的3.3 mm × 3.3 mm熱增強型雙面冷卻PQFN封裝。這些特性使設計人員能夠最大限度地提高效率、縮小轉換器和磁性元件尺寸，並滿足嚴苛的熱管理要求。
"AI基礎設施的快速發展需要能夠同時優化導通性能和開關性能的功率開關，" EPC直流/直流市場行銷及系統工程副總裁Jason Zhang表示。"EPC2370與我們最近推出的初級側GaN開關（EPC2305、EPC2367、EPC2361）配合使用，專為6 V輸出的大電流同步整流而開發，可用於下一代高功率密度、大電流電源，而在這些應用中，低R × Q品質因數至關重要。"
EPC2370針對48 V轉6 V和800 V轉6 V功率轉換器中的中心抽頭同步整流進行了優化。其18 V連續電壓和22 V瞬態電壓額定值為可靠操作提供了充足的電壓裕量，同時可在高功率密度電源模組中實現98%的峰值效率和97%的滿載效率。除AI伺服器外，EPC2370也非常適合用於高效能運算、電信基礎設施和先進工業電源系統中的大電流DC-DC轉換器。
為了加快評估和產品開發，EPC還提供EPC90168評估板。EPC90168尺寸為2" × 2"，採用兩個EPC2370 GaN FET並配置為半橋。該評估板包含所有關鍵元件，並採用經過優化的佈局，以最大限度地提高開關性能。此外，評估板還提供多個探測點，便於進行波形測量和效率評估。
價格及供貨
EPC2370現已透過EPC全球分銷網路供貨，包括Digi-Key和Mouser，並正在擴大產能，以滿足AI運算、伺服器電源、電信基礎設施、工業系統以及其他高效能低電壓電源應用不斷增長的需求。
EPC2370在1,000顆採購數量下，每顆價格為2.52美元。EPC90168評估板的售價為260美元。
關於EPC
EPC是基於增強型氮化鎵（eGaN®）技術的電源管理領域領導者。公司由電力電子、半導體和企業管理領域的專家於2007年創立，憑藉尖端技術，透過開發和商業化基於GaN的功率元件推動電力電子領域不斷發展。在DC-DC轉換器、遙感技術（雷射雷達）、用於智慧出行、機器人和無人機的馬達驅動，以及衛星等應用中，eGaN FET和積體電路的性能可達到最佳矽功率MOSFET的數倍。
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eGaN是Efficient Power Conversion Corporation, Inc.的註冊商標。
媒體聯絡人：宜普電源轉換公司（EPC）：Maurizio Di Paolo Emilio，電子郵件：[email protected]
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