氮化鎵場效應電晶體與矽功率器件比拼第12章 – 優化死區時間

Posted 2013年1月6日

雜誌 : Power Electronics Technology
作者 : 宜普電源轉換公司應用副總裁Johan Strydom博士
日期 : 2013年1月

我們在之前的文章討論氮化鎵場效應電晶體與矽器件相同之處，並可以利用量度性能的相同標準來評估它。雖然根據大部分的量度標準結果可以看到，氮化鎵場效應電晶體的表現更為優越，但氮化鎵場效應電晶體的體二極管前向電壓比 MOSFET較高及在死區時間內可以是高功率損耗的元件。體二極管前向導通損耗並不構成在死區時間内產生的全部損耗，而二極管反向恢復及輸出電容損耗也很重要。本章討論管理死區時間及工程師需要把死區時間損耗減至最低。