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氮化鎵場效應電晶體與矽功率器件比拼第十一部分:優化場效應電晶體的導通電阻

Posted 2012年10月1日

作者:宜普公司應用副總裁Johan Strydom博士
雜誌:Power Electronics Technology

摘要:
在這一系列的文章中,我們展示了與矽MOSFET相比，氮化鎵場效應晶體在硬開關及軟開關應用中它在性能方面的改善。我們看到在所討論的每一個情況下，氮化鎵場效應電晶體的性能比MOSFET器件更為優越。第十一部分討論了晶片尺寸的優化工藝，並使用一個應用範例來展示其結果。