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氮化鎵場效應電晶體與矽功率器件比拼第十部分:應用於高頻諧振轉換器

Posted 2012年9月1日

作者:宜普公司應用總監David Reusch 博士
雜誌:Power Electronics Technology

在過去的章節中,我們討論了氮化鎵場效應電晶體于硬開關、隔離及非隔離型轉換器應用中所具的優勢。在第九部分,我們將展示氮化鎵器件在軟開關的應用中,相比目前的功率MOSFET器件,它可以改善效率及輸出功率密度。