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Exploring gallium nitride technology

Posted 2013年5月21日

雜誌：EE Times Asia
日期：2013年5月16日

作為替代MOSFET器件的氮化鎵（GaN）功率器件在商用直流-直流電源轉換的應用已發展了三年，隨著氮化鎵器件暫露頭角，加上以前使用MOSFET的場效應電晶體而不能實現的應用也可以使用氮化鎵器件來實現，對於氮化鎵功率器件的開發者來說，以前想不到及還沒有開發的全新應用將提供大有可為的發展機遇。