业界首款可简化开关电路设计的eGaN FET驱动器 Posted 2011年6月23日 氮化镓(GaN)场效应晶体管作为用于高压电源转换电路的开关器件正在不断蚕食硅基场效应晶体管市场。 By Margery Conner EDN June 20, 2011 Read the article 相關的熱門文章 Dedicated Driver Squeezes Optimal Performance Out Of Enhancement-Mode GaN FETs 歐洲PCIM研討會的 Podium Session為採納氮化鎵功率元件的步伐譜出新章 矽、氮化鎵與碳化矽器件的比拼：我的功率設計應該選用哪一個製程及供應商？ 矽基氮化鎵場效應電晶體促進全新應用的出現 宜普電源轉換公司增強型氮化鎵場效應電晶體