EPC2018 氮化鎵功率電晶體於直流-直流電源轉換及D類音頻放大器的應用發揮卓越性能及實現高頻開關
宜普電源轉換公司2013年9月宣佈推出增強型氮化鎵功率電晶體系列產品中的最新成員- EPC2018。
EPC2018 電晶體為5.76 mm2、150 VDS、12 A的器件，其最大RDS(on)為25 mΩ，在柵極電壓為 5 V。它可以實現更高性能，因為它具備超高開關頻率、非常低的RDS(on)、超低QG以及具備超小型封裝。
與先進矽功率MOSFET器件相比，雖然阻抗相同，EPC2018 器件具備超小型封裝及在開關性能方面比矽功率MOSFET器件高出很多倍。受惠於氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)的應用包括高速直流-直流電源、負載點轉換器、D類音頻放大器及許多需要納秒開關速度的電路等應用。
宜普公司創辦人及首席執行長Alex Lidow 稱“EPC2018 器件進一步替我們氮化鎵場效應電晶體系列開拓新天地。在功率轉換應用中，它提供低阻抗、低輸出電容、快速開關及因器件沒有反向恢復而可減少開關損耗。在D類音頻放大器應用中，它可以提高效率及改善音質。”
EPC2018器件在一千批量時的單價為6.54美元，客戶可以透過DigiKey公司在網上購買，網址為 Digi-Key Corporation
關於氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）的設計資料及技術支援的資料
表一：EPC2018 Specification Ratings總覽
宜普公司簡介
宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括直流-直流轉換器 、無線電源傳送、波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、遙距感測技術（LiDAR）及D類音頻放大器等應用，器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw。
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商標
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。
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