評估氮化鎵（GaN）作為矽 MOSFET 低電壓替代方案 技術分享雜談GaN技術 – Maurizio Di Paolo Emilio 二月 19, 2026 近期氮化鎵（GaN）功率元件的進展顯示，其運作範圍已大幅擴展至 40 V 以下的低電壓應用領域。由於具備良好的導通性能、成熟且廣為理解的製造製程，以及經驗證的可靠性，矽 MOSFET 長期以來主導此電壓範圍。 PCIM Mesago 閱讀全文 Tags: AIGaN FETLow-voltageMOSFETMotor DriveRobotics矽 Maurizio Di Paolo Emilio, Director of Global Marketing Communications at EPC