GaN 基礎知識：混合結構、HEMT 和基板選擇 技術分享雜談GaN技術 – Maurizio Di Paolo Emilio 三月 20, 2026 關於氮化鎵（GaN）基礎知識的本系列文章第 1 部分 介紹了晶體結構和二維電子氣（2DEG）的形成，以及材料品質因數和從耗盡型到增強型 GaN HEMT 的轉變。 第 2 部分將概述混合結構和 RDS(on) 損耗代價，並進一步介紹 GaN HEMT 以及 GaN 的基板選擇。文章還將論證通往單片整合的發展路徑，同時說明歐姆接觸、金屬化和封裝優勢如何推動這一設計路線圖。 EDN 閱讀文章 Tags: Maurizio Di Paolo Emilio, Director of Global Marketing Communications at EPC