部落格:氮化鎵技術如何擊敗矽技術

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GaN 的下一步發展方向是什麼

GaN 的下一步發展方向是什麼

六月 15, 2026

At PCIM,Alex Lidow 重點介紹了 GaN 技術的最新演進,強調其在導通電阻、電容和電壓性能方面取得的重大提升。他指出,第七代 GaN 的導電性正接近銅,同時在各個電壓等級上持續超越矽 MOSFET。Lidow 還展示了 EPC2370,該元件具有超低導通電阻和大幅降低的電容。展望未來,EPC’s 第八代 GaN 將瞄準低電壓、高頻率和高功率密度應用,以及用於機器人和無人機的單片馬達驅動 IC,並計劃在 2027 年和 2028 年整合保護功能和電流感測功能。

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