部落格:氮化鎵技術如何擊敗矽技術

雜談GaN技術

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Term: IoT
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十一月 03, 2020

如何設計高效能、2.5 kW、通用輸入電壓範圍、功率因數校正(PFC)400 V 整流器,使用200 V eGaN® FETs

Alex Lidow, Ph.D., CEO and Co-founder

致謝 - 此應用說明和相關硬體是與德克薩斯大學奧斯汀分校的半導體電力電子中心 (SPEC) 合作開發的。

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