雜談GaN技術

隨著氮化鎵 (GaN) 在從資料中心和機器人到汽車與消費電子的應用中加速普及，封裝發揮著越來越關鍵的作用。EPC 的熱增強型 無引腳功率四方扁平封裝 (PQFN) 提供了工程師所需的性能與功率密度，但在實際系統中的成功取決於一個關鍵因素：可靠的組裝。

瞭解在選擇氮化鎵（GaN）柵極驅動器時應考慮的關鍵因素，在這裏為您的電力電子產品設計做出最佳選擇。

EPC 正在積極準備前往休斯敦參加 應用電力電子會議 (APEC)。 團隊很高興能再次親自展示各種演示，展示 GaN 的卓越性能如何在包括計算、通信和電子移動在內的多個行業中轉變電力傳輸。

現代顯示器，如筆記型電腦和PC顯示器，通常需要低功率升壓轉換器。在這種應用中，屏幕亮度為低到中等，且轉換器大多數時間在輕負載下運行，因此輕負載效率非常重要。eGaN FETs的低切換損耗可以幫助解決這個挑戰。本次GaN Talk將探討使用eGaN FETs在簡單且低成本的同步升壓拓撲中設計12 V到60 V、50 W的DC/DC電源模組，並具有低溫升特性。

電力電子工程師不斷致力於設計具有更高效率和更高功率密度的設計，同時保持高可靠性並將成本降至最低。設計技術的進步和元件技術的改進使工程師能夠始終如一地實現這些目標。電力半導體是這些設計的核心，它們的改進對於更好的性能至關重要。在這篇EPC空間部落格中，我們將展示氮化鎵（GaN）電力半導體如何在空間應用的惡劣輻射環境中實現創新。