五月 10, 2023
Renee Yawger, Director of Marketing
氮化鎵(GaN)元件是一種非常堅硬和在機械方面非常穩定的寬帶隙半導體材料,用于生產功率元件、射頻元件和發光二極體 (LED)。其開關頻率遠高於矽元件,使電力電子設計人員能够利用氮化鎵元件創建更小、更高效、性能更高的系統,這是以前採用矽技術難以實現。
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GaN FET 及集成電路
評估板
The Growing Ecosystem for eGaN FET Power Conversion (How2AppNote 005)
How to Design an eGaN FET-Based Power Stage with an Optimal Layout (How2AppNote 007)