雜談GaN技術

本文最初由 Bill Kleyman 于 2018年11月5日发布在 Data Center Frontier 网站上。了解更多关于 eGaN 技术 以及 EPC GaN 解决方案在 数据中心的应用。

eGaN® FET 的切換速度比矽 MOSFET 快得多，因此需要更仔細地考慮 PCB 佈局設計，以盡量減少寄生電感。寄生電感會導致更高的過衝電壓和較慢的切換過渡。本應用說明回顧了設計最佳功率級佈局的關鍵步驟，以避免這些不良影響並最大化轉換器性能。