雜談GaN技術

隨著人工智慧（AI）、機器人和太空系統重新定義功率電子學的可能性，氮化鎵（GaN）技術持續引領這一變革。在最近接受 Electronic Product Design & Test (EPDT) 的採訪中，EPC 的執行長兼共同創辦人 Alex Lidow 博士分享了他對 GaN 如何重塑半導體格局的見解——以及這項快速發展的技術未來的發展方向。

計算和電信市場的快速擴展對中間總線轉換器提出了越來越緊湊、高效和高功率密度的解決方案需求。LLC諧振轉換器是一個提供高功率密度和高效率解決方案的優秀候選者。eGaN® FET 以其超低導通電阻和寄生電容，顯著減少了LLC諧振轉換器的損耗，而這在使用矽MOSFET時是具有挑戰性的。展示了一個採用eGaN FET如EPC2053 和EPC2024 的48 V到12 V、900 W、1 MHz LLC DC到DC變壓器（DCX）轉換器，其峰值效率達到98.4%，功率密度超過1500 W/in3。