並聯 GaN FET 中的瞬態電流共享：寄生電容的作用 Posted 2026年3月4日 本文探討了寄生電容對鎵氮化物(GaN)場效應晶體管(FETs)在並聯配置中動態電流共享行為的影響。隨著GaN技術在高性能電力電子系統中的持續崛起，並聯多個裝置已成為增加電流處理能力的常見策略。 Salvatore Musumeci 博士, Vincenzo Barba 博士, Michele Pastorelli 教授, Marco Palma 碩士 ScienceDirect 閱讀文章 相關的熱門文章 並聯 GaN FETs：電流共享的挑戰與解決方案 Test-to-Fail Methodology for Accurate Reliability and Lifetime Evaluation of eGaN Devices in Solar Applications 於嚴峻情況下氮化鎵元件如何工作 – 將eGaN FET置於遠高於數據手冊的電壓和電流限值下工作 Testing Gallium Nitride Devices to Failure Under Extreme Voltage and Current Stress GaN Reliability Testing Beyond AEC Proves Robustness for Automotive Lidar Applications