With the introduction of this family of eGaN® FETs, power systems and RF designers now have access to high performance gallium nitride power transistors enabling innovative designs not achievable with silicon.

October, 2013
Bodo's Power Systems

我们在本章讨论在隔离型直流-直流功率转换中使用更复杂的硬开关转换器。

EEWeb
作者：Alex Lidow
2013年10月

Power systems and RF designers now have access to high performance GaN power transistors capable of amplification into the low GHz range, enabling innovative designs not achievable with silicon.

EL SEGUNDO, Calif. — September 2013 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN®) power FETs extends its family of high-speed, high performance transistors with the EPC8000 family of products.

EPC2018 氮化镓功率晶体管于直流-直流功率转换及D类音频放大器的应用发挥卓越性能及实现高频开关

宜普电源转换公司2013年9月宣布推出增强型氮化镓功率晶体管系列产品中的最新成员- EPC2018。

在高频降压转换器配备最优的版图，使得在1MHz 频率下开关时器件可实现96%以上的效率。

EEWeb
日期：2013年9月
作者：Alex Lidow

When a new technology is introduced, it is not reasonable to think that engineers will intuitively know how to effectively and efficiently take advantage of the performance enhancements that the new technology offers – there is always a learning curve. This is being borne out in the case of the rapidly emerging technology of high performance gallium nitride transistors.

GaN FET technology was made available to the general power conversion engineering community in mid-2010 when Efficient Power Conversion (EPC) introduced the industry’s first commercially available GaN transistor. Since that time, EPC has continued on two parallel paths – one to expand their portfolio of products and the other to share what it learns about the use of the technology with power conversion systems design engineers. One of these educational efforts has been to work with the editors of Power Electronics magazine and publish a bi-monthly series of articles on the characteristics of GaN technology and its applications.

This series is entitled eGaN FET -- Power Silicon Shoot Out. Articles in the series took on both basic issues and specific applications using gallium nitride components. It is timely to make a quick review of the sixteen articles to make certain that we have accomplished the goal of assisting engineers in climbing the learning curve. This retrospective look will give us insight into what further topics and studies are needed to advance the adoption of GaN technology, the need to learn is never finished.

By: JOHAN STRYDOM, Ph. D., Vice President, Applications, Efficient Power Conversion Corporation
MICHAEL DE ROOIJ, Ph.D., Executive Director of Applications Engineering, Efficient Power Conversion Corporation
DAVID REUSCH, PH.D., Director, Applications, Efficient Power Conversion Corporation

Read the article

封装的缺点是增加功率MOSFET器件的尺寸及成本，并增加阻抗和电感，从而降低器件的性能。宜普电源转换公司Alex Lidow辩说最有效的解决方案是不用封装，使 氮化镓高电子迁移率晶体管与等效硅器件相比，具有相同成本的优势。

杂志：Compound Semiconductor
日期：２０１３年6月

在EEWeb Pulse 访问里，宜普公司首席执行官Alex Lidow讨论如何推动氮化镓器件的广泛应用。

EEWeb Pulse
日期：2013年6月

领导增强型氮化镓晶体管发展的宜普电源转换公司的首席执行官Alex Lidow首次在EEWeb.com撰写全新专栏，每月与设计工程师讨论硅基氮化镓功率器件可以 替代旧有功率MOSFET器件。

EEWeb.com
作者：Alex Lidow
日期：２０１３年6月

虽然氮化镓场效应晶体管被设计及优化为一种开关功率器件，但该晶体管也具备良好的射频特性。 本章是关于氮化镓场效应晶体管在200 MHz至2.5 GHz频率范围的射频特性的第1部分。

作者：宜普公司应用工程行政总监Michael de Rooij博士、产品应用副总裁Johan Strydom博士及Peak Gain Wireless总裁Matthew Meiller

阅读文章

杂志：EE Times Asia
日期：2013年5月16日

作为替代MOSFET器件的氮化镓（GaN）功率器件在商用直流-直流电源转换的应用已发展了三年，随着氮化镓器件暂露头角，加上以前使用MOSFET的场效应晶体管而不能实现的应用也可以使用氮化镓器件来实现，对于氮化镓功率器件的开发者来说，以前想不到及还没有开发的全新应用将提供大有可为的发展机遇。

http://www.eetasia.com/ART_8800684828_480200_TA_f13f883a.HTM

杂志：EDN
作者：Steve Taranovich
日期：２０１３年３月１５日

随着功率元件不断的演进，领先开发者之间的竞赛更趨白热化。业界专家认为在２０１３年中大约有一半的氮化镓、硅及碳化硅器件的供应商将在工艺方面取得进展、提供全新结构及性能，进而为业界提供全新选择及开发工具。详情请浏览http://www.edn.com/design/power-management/4409627/1/Si-vs--GaN-vs--SiC--Which-process-and-supplier-are-best-for-my-power-design-

作者 ：Alix Paultre
杂志 ：Power Systems Design

这个podcast的内容是关于我们与宜普电源转换公司Alex Lidow的谈话内容，Alex主要分享全新氮化镓器件的技术及它们对电源业界的影响。宜普公司是基于增强型氮化镓的电源管理器件的领先供货商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，应用范围包括负载点转换器、以太网供电、服务器、计算机应用的直流-直流转换器、LED高效照明、移动电话、射频传送、太阳能微型逆变器及D类音频放大器,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览http://www.powersystemsdesign.com/paultre-on-power---power-gan?a=1&c=6282。

杂志：Bodo’s Power Systems (www.bodospower.com)
日期：1/2/2013
作者：宜普公司首席执行官Alex Lidow博士、应用工程执行总监Michael deRooij博士及应用工程 总监David Reusch博士
摘要：本文展示了增强型氮化镓场效应晶体管推动谐振拓扑在效率方面实现重大改善，以及工作 在6.78 MHz频率范围的无线电源传送实用范例。

读过的文章

作者：Ashok Bindra
杂志：How2Power Today （2012年12月刊）

在过去的数年间虽然有很多讨论关于基于氮化镓的功率晶体管可以替代普遍使用的硅MOSFET器件，但硅基氮化镓的功率场效应晶体管可能需要较长的时间才可以在电源转换领域成为主流器件。目前数个全新应用的出现将有望实现氮化镓技术所提供的优势。除了具备商用及高可靠性的条件，氮化镓器件的独有特性正在促进全新应用的出现。

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By: Sun Changhua
Digitimes.com
December 20, 2012

阅读英文/简体版

作者：宜普公司应用副总裁Johan Strydom博士
杂志：Power Electronics Technology

摘要：
在这一系列的文章中，我们展示了与硅MOSFET相比，氮化镓场效应晶体在硬开关及软开关应用中它在性能方面的改善。我们看到在所讨论的每一个情况下，氮化镓场效应晶体管的性能比MOSFET器件更为优越。第十一部分讨论了晶片尺寸的优化工艺，并使用一个应用范例来展示其结果。

阅读全文

作者：宜普公司应用总监David Reusch 博士
杂志：Power Electronics Technology

在过去的章节中，我们讨论了氮化镓场效应晶体管于硬开关、隔离及非隔离型转换器应用中所具的优势。 在第九部分，我们将展示氮化镓器件在软开关的应用中，相比目前的功率MOSFET器件，它可以改善效率及输出功率密度。

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宜普公司的氮化镓场效应晶体管具卓越开关速度，为具非常高的共振频率的无线电源传送提高功率电子的效率

宜普宣布推出一个高效无线电源展示系统，内含具高频开关性能的氮化镓晶体管。使用宜普的氮化镓场效应晶体管是这种系统的一个理想解决方案，因为它所具备的性能可以在高频、高压及高功率情况下有效率地工作。

作者：宜普公司首席执行官Alex Lidow博士
日期：在2012年7月2日刊载于Power Pulse.Net网站

大约在2005年Eudyna 与Nitronex首次推出耗尽型射频晶体管时，氮化镓晶体管已经出现。之后有很多新的公司加入引进射频晶体管（如RFMD, Triquint, Cree, 飞思卡尔, Integra, HRL, M/A-COM及其它公司)，以及在电源转换应用为替代功率MOSFET而设计的晶体管（如Transphorm, 国际整流器公司, GaN Systems, microGaN及宜普电源转换公司）。本论文主要在讨论这个热闹的科研现象是代表氮化镓晶体管已经准备好替代功率MOSFET吗？如果是，原因是什么呢？

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