氮化镓集成电路：提高伺服器的功效 --不论是大、小规模的数据中心都要面对减低功耗、冷却及占用空间等问题，而这些问题也是在伺服器内所面临及需要解决的问题。有的时候，细微的改变也可带来重大的效益。

TechBeacon
2016年8月2日
阅读全文

在本系列的第一及第二章，我们详细讲解了关于EPC的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN^®FET)及集成电路(IC)的现场可靠性报告。具备优越的现场可靠性的eGaN器件展示出通过基于应力的认证测试可确保客户的应用也可以非常可靠。本章将阐释EPC器件在认证之前被置于及通过的各种应力测试。

Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年7月9日
阅读全文

人们用硅材料命名了“硅谷”，而硅材料现正面对全新并具有潜力的竞争对手 – 氮化镓（GaN）材料。有说氮化镓器件可以取得300亿美元的半导体电源供应产业的市场份额。这个市场涵盖了所有利用墙上的电源插座取得电源的产品—从Apple（AAPL）的iPhone充电器，以至Tesla（TSLA）的豪华电动汽车。

Investor's Business Daily
Allison Gatlin
2016年7月
阅读全文

美国加州MILPITAS - 2016年5月 25日美通社专讯 --占领电源管理和精确模拟解决方案的市场领导地位的Intersil Corporation (纳斯达克指数NASDAQ代号: ISIL) 宣布计划进一步扩大其业界领先、面向卫星应用的耐辐射产品系列，在卫星及其它恶劣环境采用具备高可靠性的氮化镓（GaN）功率转换集成电路。

美通社
2016年5月25日
阅读全文

宜普电源转换公司（EPC）的增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN^® FET）及集成电路正在驱动最终用户应用的发展，包括LiDAR、无线充电、DC/DC电源转换、射频发射基站、卫星系统及音频放大器等应用。

从现场可靠性数据可以确证eGaN^® FET及集成电路于客户应用的品质。在本章节，我们分享eGaN FET的可靠性及现场数据的概述，包括在过去六年间我们对量产及已经付运的eGaN产品所收集的可靠性现场数据，以及分析超过170亿小时受测器件的现场数据。最后所得的FIT比率(109小时内发生失效的器件)大约是0.24，这是目前最好的现场可靠性测试结果。

Plant Analog
作者：Chris Jakubiec
2016年5月1 日
读过的文章

采用先进氮化镓晶体管及集成电路（IC）的功率系统设计工程师现在可以利用互动式、网上参数选型工具，替他们的功率转换系统找出基于氮化镓器件的最优解决方案。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出网上氮化镓（GaN）产品选型及搜索工具。该互动式选型指南为功率系统设计工程师提供以下的优势：

The demand for information in our society is growing at an unprecedented rate. With emerging technologies, such as cloud computing and the Internet of Things, this trend for more and faster access to information is showing no signs of slowing. What makes the transfer of information at high rates of speed possible are racks and racks of servers, mostly located in centralized data.

EEWeb
Alex Lidow, Ph.D., David Reusch, Ph.D., and John Glaser, Ph.D.
March, 2016
Read article on page 24

全新的EPC2040氮化镓场效应晶体管（eGaN^®FET）具备超快速开关性能，可以支持需要更高分辨率及准确性、使用脉冲式镭射驱动器的应用，诸如在扩增实景（augmented reality）系统及全自动驾驶汽车中，利用光学遥感技术（LiDAR ）、三维感测的导航系统。

宜普电源转换公司宣布推出EPC2040功率晶体管，它是一种超小型、具备快速开关性能的氮化镓功率晶体管，面向高速终端应用，可实现优越的分辨率、更快速的响应时间及更高准确度。此外，由于在整个工作温度范围内，器件具有高准确度门限，因此当镭射受热，可确保系统的稳定性。例如该晶体管在LiDAR 技术所采用的脉冲式镭射驱动器是理想的器件。LiDAR技术是全自动驾驶汽车的导航系统及扩增实景平台的重要技术。EPC2040的优越性能在这些系统中可以实现更高准确度及分辨率。

The combination of lower on-resistance, faster switching speeds, lower thermal impedance, and smaller physical size of eGaN FETs continues to raise the bar for power transistor performance. As GaN technology matures, not only does the performance of these transistors rapidly improve, but significant reductions in cost are also realized. Not only will GaN devices continue to enable new applications, they will replace silicon power transistors in cost-sensitive applications as well. As a matter of fact, the first signs of this happening are already here.

Power Systems Design
By: Johan Strydom, Ph.D.
September 26, 2015
Read Article

EPC2037增强型氮化镓功率晶体管（100 V、1 A、550 mΩ）由一个数字驱动器直接驱动，于采用D类及E类放大器拓扑的无线充电应用中可以实现高频开关及特别优越的性能。

宜普电源转换公司(www.epc-co.com.cn )推出增强型氮化镓功率晶体管（eGaN^® FET）系列的最新成员 -- EPC2037。

EPC2037（100 V_DS、1 A）非常小型（1.82 mm²）及在栅极上施加5 V电压时的最大导通阻抗为 550 mΩ。 由于它具备超高开关频率、低导通阻抗值、异常低Q_G值及采用超小型封装，因此它在电源转换系统具备高性能优势。EPC2037由一个数字逻辑集成电路直接驱动，因此不需额外及高成本的驱动器集成电路。

双路增强型120 V、60 mΩ氮化镓集成电路（EPC2110）可实现超高频开关，从而推动采用E类放大器拓扑的无线电源传送应用实现优越性能。

宜普电源转换公司(www.epc-co.com.cn)推出增强型氮化镓IC系列的最新成员-- EPC2110。

EPC2110是一种具有120 V_DS、20 A的双路共源极器件，它采用非常纤薄的封装（1.35 mm x 1.35 mm），于栅极施加5 V电压时的最高R_DS(on) 为 60 mΩ。由于EPC2110具备超高开关频率、超低R_DS(on)、异常低的Q_G及采用非常纤薄的封装，因此这种氮化镓IC可以实现高性能。

The trend for electronics is to continually push towards miniaturization while increasing performance. With silicon MOSFET technology fast approaching its theoretical limit, enhancement mode gallium nitride (eGaN^®) FETs from EPC have emerged to offer a step change improvement in power FET switching performance, enabling next generation power density possibilities by decreasing size and boosting efficiency. This article will explore the recommended layout techniques required to fully extract the benefits of EPC’s eGaN FETs.

By: Ivan Chan & David Reusch, Ph.D.
EEWeb –Modern Printed Circuits
August, 2015
Read Article

全新eGaN^® FET (EPC2039)具备优越性能、大功率及采用超小型封装的优势，其价格也可以支付得起。

宜普电源转换公司宣布推出EPC2039功率晶体管。该产品是一种具备高功率密度的增强型氮化镓（(eGaN^®)功率晶体管，其尺寸只是1.82 mm²、80 V_DS、6.8 A及在栅极上施加5 V电压时的最大阻抗为 22 mΩ。 由于它在超小型封装内具备高开关性能，因此它在电源转换系统具备高性能优势。

氮化镓功率晶体管 -- EPC2106为功率系统设计师提供的解决方案可以在2 MHz以上频率开关，从而不会干扰AM频段及降低过滤成本，因此是具备低失真性能的D类音频放大器的理想选择。

宜普电源转换公司宣布推出单片半桥式增强型氮化镓晶体管 --EPC2106。通过集成两个eGaN^®功率场效应晶体管而成为一个集成电路可以去除互感及PCB板上器件之间所需的间隙空间，从而提高效率（尤其是在更高频时）及提高功率密度而同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。

全新EPC2107及EPC2108 eGaN^®功率集成电路包含单片半桥式器件及集成式自举功能，专为符合无线充电联盟（A4WP）第二及第三级规范的解决方案而设。此外，为了让客户容易对氮化镓元件进行评估，我们也提供开发板及包含发射器及接收器的无线电源传送解决方案。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出内含集成式自举功能的场效应晶体管的eGaN半桥功率集成电路 EPC2107（100 V）及EPC2108（60 V）。该集成电路去除了由栅极驱动器所引致的反向恢复损耗，也不需高侧箝位。这是首次在eGaN功率电路中集成了一个自举场效应晶体管。

eGaN^®功率晶体管在功率转换领域继续实现更高的性能。该晶体管系列具备更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及优越的散热性能，从而实现具备更高的功率密度的转换器。

宜普电源转换公司宣布推出两个可以提高电源转换效率的eGaN FET。这些产品的工作温度最高达150°C。150 V的EPC2033的脉冲电流为260 A及200 V的EPC2034)的脉冲电流为140 A。应用范围包括DC/DC转换器、DC/DC与AC/DC转换器的同步整流应用、马达驱动器、LED照明及工业自动化等应用。

宜普电源转换公司(EPC)推出采用高性能、宽间距的芯片规模封装的全新氮化镓(eGaN^®)功率晶体管，进一步扩大其功率晶体管系列、易于实现高产量并与成熟的制造工艺及组装生产线兼容。

宜普电源转换公司宣布推出3个采用具有更宽间距连接的布局的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）。这些产品采用具有1 mm间距的焊球，进一步扩大EPC的“宽间距”器件系列。更宽阔的间距可在器件的底部放置额外及较大的通孔，使得器件以超小型尺寸（2.6 mm x 4.6 mm）实现大电流承载能力。

全新eGaN^®功率晶体管系列以MOSFET器件的价格实现更优越的性能、更小的尺寸及高可靠性。

宜普电源转换公司宣布推出EPC2035（60 V）及EPC2036EPC2036 （100 V）eGaN功率晶体管，专为在价格方面竞争而设计并且在性能上超越硅器件。 价格是封阻可替代硅MOSFET器件的氮化镓（GaN）晶体管的普及化的最后一个壁垒，而价格已经下降。这些全新产品可以替代硅半导体及为业界续写摩尔定律的辉煌。

采用全新100 V EPC2104 半桥式器件的全降压转换器在48 V转12 V、22 A输出电流及300 kHz开关频率下，系统效率可超过97%；而在22 A、500 kHz开关频率下，系统效率则接近97%。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC2104(100 V)增强型单片式氮化镓半桥器件。透过集成两个eGaN^®功率场效应晶体管而成为单个器件可以除去印刷电路板上器件之间的相连电感及所需的空隙，使晶体管的占板面积减少50%。这样可以提高效率（尤其是器件在更高频工作时）及增加功率密度并同时减低终端用户的功率转换系统的组装成本。

全新氮化镓(eGaN^®)功率晶体管（EPC2029）进一步扩大宜普电源转换公司的功率晶体管系列 – EPC2029 氮化镓晶体管使用高效、具有宽间距的芯片规模封装，可易于实现高产量并与成熟的制造工艺及组装生产线兼容。

宜普电源转换公司宣布推出采用更宽间距连接的布局的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）-- 80 V、31 A并具有1 mm间距的焊球的EPC2029晶体管是这种全新产品系列的首个晶体管。更宽阔的间距可在元件的底部放置额外及较大的通孔，使得小尺寸（2.6 mm x 4.6 mm）的元件可以具备大电流承载能力。