Best design practices utilize the advantages offered by eGaN FETs, including printed circuit board (PCB) layout and thermal management. As GaN transistor switching charges continue to decrease, system parasitics must also be reduced to achieve maximum switching speeds and minimize parasitic ringing typical of power converters.

Power Electronics
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宜普公司为功率系统设计师提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 mΩ氮化镓功率晶体管（EPC2049），应用于负载点（POL）转换器、激光雷达（LiDAR）及具低电感的马达驱动器。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC2049功率晶体管，应用于负载点（POL）转换器、激光雷达（LiDAR）、包络跟踪电源、D类音频放大器及具低电感的马达驱动器。 EPC2049晶体管的额定电压为40 V、最大导通电阻为5 mΩ及脉冲输出电流为175 A。

面向全新及目前由MOSFET支持的应用的最新EPC氮化镓（eGaN^®）晶体管及集成电路系列，在提升性能及降低成本方面实现质的飞跃。

E宜普电源转换公司（EPC）第五代氮化镓（eGaN）晶体管及集成电路系列荣获《今日电子》与21IC中国电子网颁发2017年度“Top10电源产品—最佳应用奖”。该奖项在2017年9月15日于北京举行的电源技术研讨会上颁发。

EPCが無線充電用途向けeGaN FETとパワーキットに関するデータ一覧

日経BP社
2017年6月15日
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这位在40年前成为博士的科学家曾为世界节省了15%电量，如今他正继续自己的创新之旅，为人类找到了硅的全新替代材料。

我父亲常常教导我：一个人的真正价值，是通过他对社会所作出的贡献来衡量的。1975年我进入研究生院学习，那时我的兴趣在半导体领域，并且认为我对社会最大的贡献，就是找到可以替代硅的半导体材料。我的研究生毕业课题从围绕砷化镓展开，但是直到在1977年获得博士学位后，我才发现，作为一种半导体材料，砷化镓受其基本材料特性所影响，它的应用前景非常有限，于是我转而专注于研究如何制造出更好的硅基器件。

财富中文网 (Fortune China)
2017年6月15日
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宜普电源转换公司（EPC）是硅基增强型氮化镓场效应晶体管及集成电路的领先供应商，基于eGaN^® FET与集成电路的低成本解决方案是在发射端采用单个功率放大器，而在接收端无论是采用什么标准，也可以实现无线充电。

我们诚挚邀请工程师莅临中国上海，出席于2017年6月28日（星期三）上午11时在上海世博展览馆B2层2号会议室举行的PCIM Asia 2017研讨会（电力转换与智能运动研讨会）。届时EPC公司的应用工程副总裁Michael de Rooij博士将分享在高功率、高度共振式无线充电应用中，如何选择放大器的拓扑结构，从而满足客户在产品设计上的要求。

Mr. Krueger to direct EPC’s European sales organization and assist customers in adopting eGaN^® FETs and Integrated Circuits for leading-edge power conversion systems

EL SEGUNDO, Calif. — June 2017 — To support its accelerating growth, Efficient Power Conversion Corporation (EPC) is proud to announce that Wolfram Krueger has joined the EPC leadership team as Vice President of European sales. Mr. Krueger has over 30 years of sales operation experience within the semiconductor industry. His primary responsibilities at EPC are creating and implementing sales and marketing strategies to achieve the company’s sales objectives throughout Europe. He is based in Cologne, Germany.

200 V、25 mΩ氮化镓功率晶体管(EPC2046)比等效MOSFET小型化12倍,可应用于无线充电、多级AC/DC电源供电、机械人应用及太阳能微型逆变器。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出面向多种应用的EPC2046功率晶体管，包括无线充电、多级AC/DC电源供电、机械人应用、太阳能微型逆变器及具低电感的马达驱动器。EPC2046的额定电压为200 V、最大导通电阻R_DS(on)为25 mΩ、脉冲输出电流为55 A。

宜普电源转换公司（EPC）与工程师分享经过专业制作的6个视频，展示出在最终客户端的应用，例如无线充电桌面、高性能激光雷达、48 V–1.8 V DC/DC单级转换，以及利用氮化镓晶体管及集成电路实现准确控制的马达驱动器等应用。

宜普电源转换公司（www.epc-co.com.cn）制作了6个精简视频，展示出在最终客户端采用eGaN^® FET及集成电路eGaN® FET及集成电路的应用。这些视频描述氮化镓技术正在改变我们的生活方式，并挑战功率系统设计工程师如何在他们新一代的功率系统设计中，发挥高效氮化镓场效应晶体管及集成电路的优势。

宜普电源转换公司发布第九阶段可靠性测试报告，记录受测器件在累计超过900万个器件-小时的应力测试后,没有发生故障。该报告聚焦电路板热机械可靠性，首次描述焊点的完整性的预测模型，以及与可比的封装器件相比，展示出采用晶圆级芯片规模封装（WLCSP）的氮化镓晶体管具备卓越的可靠性。

宜普电源转换公司的第九阶段可靠性测试报告表明所有受测的器件都通过了严谨的热机械可靠性测试。我们过去已发布了八份关于产品可靠性的测试报告，第九阶段可靠性测试报告进一步累积与氮化镓技术相关的知识，以及实现我们的承诺，与工程师分享对氮化镓技术的学习研究。

参看EPC公司于APEC 2017展示基于氮化镓技术的各种应用。

EDN Network
2017年4月3日
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于2017年APEC研讨会上，宜普电源转换公司（EPC）展示出采用氮化镓(eGaN)技术的各种应用以证明它即将改变我们的生活方式。

Electronics360
2017年3月29日
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Light detection and ranging (lidar) is a versatile light-based remote sensing technology that recently has been the subject of great attention. It has shown up in a number of media venues and has even led to public debate about the engineering choices of a well-known electric car company, Tesla Motors. While this article is not going to enter the fray, it will provide some background on lidar and discuss its strong connection to power electronics technologies.

Published in: IEEE Power Electronics Magazine ( Volume: 4, Issue: 1, March 2017 )
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宜普电源转换公司（EPC）的第五代（Gen5）产品改善了工艺、性能而同时降低可买到的氮化镓晶体管的成本，以及缩小其芯片和电路板的尺寸。

EPC首席执行官及共同创办人Alex Lidow与他的团队再次发挥专业精神，为设计师提供面向全新市场的独特、可选的、需要比基于硅基器件更高效的功率解决方案。 团队不仅仅在技术方面各有所长，并深入地了解制造工艺的量子力学，从而提高产品性能而同时缩小EPC解决方案的尺寸及降低其成本。

EDN
2017年3月15日
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3300亿美元的硅晶片市场是所有电力电子行业的发展基础。但成熟技术引发一轮购并后，该业界的发展步伐缓慢下来。

这就是为什么创新者和主力推动利用氮化镓替代硅材料的Alex Lidow认为目前是氮化镓时代。他的宜普电源转换公司(EPC)推出新一代eGaN晶片，比之前的晶片的尺寸小50%和性能高出很多倍。

VentureBeat
2017年3月15日
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宜普电源转换公司将于国际著名功率电子与应用研讨会（APEC^®2017）展示超过25多种基于卓越氮化镓技术的演示电路，以及它如何改变了我们的生活方式。我们的技术专家将以GaN^® FET和集成电路技术为主题，举行合共七场技术演讲。

宜普电源转换公司的团队将于2017年3月26日至30日在美国佛罗里达州Tampa举行的APEC 2017研讨会，举行以氮化镓（GaN）技术及应用为主题的七场演讲。此外，EPC将展示最新的eGaN FET及集成电路，以及分享客户采用eGaN技术的最终产品。

EPC9126开发板基于具备超快速的转换速度特性的eGaN^® FET，可通过大电流脉冲及低至5 ns的总脉宽来驱动激光二极管，从而提高激光雷达系统的侦测资料的质素，包括侦测资料的准确度、精准度及处理速度。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC9126评估板。该板是基于100 V大电流脉冲激光电源设计，可驱动激光二极管。在自动驾驶汽车的激光雷达系统中，侦测目标物件的速度及准确性非常重要。EPC9126评估板展示eGaN FET具备快速转换速度的特性，与等效MOSFET相比，eGaN FET可以高达快十倍的速度提供功率脉冲来驱动激光二极管，从而提高LiDAR系统的整体性能。

本系列的第四章中，我们探讨了采用晶圆级芯片规模封装的eGaN器件的热机械可靠性。同样重要的是，我们需要了解有栅极偏置时，器件有可能发生的故障模式。本章探讨氮化镓（GaN）场效应晶体管的栅极在偏置电压时失效的物理原因。我们把eGaN FET的栅极控制电压提升至特定的最大极限值和极限值以上，从而分析该器件在失效前的性能。

Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年11月29日
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自动驾驶汽车将来需要基于激光感应技术，而这些系统则需要比硅基器件的性能更优越的全新并具备高速开关的晶体管及芯片。

以上是Alex Lidow所声称的技术发展进程。Lidow是史丹福大学的物理学家并拥有物理学博士学位、创业家、宜普电源转换公司（EPC）首席执行官及共同创办人。该公司的总部位于加州的El Segundo市，是一家利用一种全新材料来制造晶体管及芯片的公司，该材料比硅材料具备更快速开关、更高效及成本更低等优势。

《财富》杂志
2016年9月8日
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在本系列的第一、二及第三章中，我们详细讲解了关于EPC增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)及集成电路(IC)的现场可靠性及它们被认证通过应力测试。在应用中，我们把器件置于预期的工作条件下并施加应力，其测试结果引证了氮化镓器件的现场可靠性。同样重要的是了解 eGaN器件固有的物理特性，它如何在被施加应力后并超出预期工作条件时（例如数据表的参数及安全工作区(SOA)）而失效。本章将进一步深入探讨失效的物理原因 -- 采用晶圆级芯片规模封装（WLCSP）的eGaN器件的热机械可靠性。

Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年9月7日
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