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宜普电源转换公司推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)半桥式晶体管，进一步扩展其获奖的氮化镓功率晶体管产品系列。
宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)增强型单片式氮化镓半桥器件。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为单个器件可以除去印刷电路板上器件之间的相连电感及空隙，使晶体管的占板面积减少50%。
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宜普电源转换公司为功率系统设计师提供一款具备４奈秒上升时间特性的450 V氮化镓场效应功率晶体管(EPC2027 eGaN® FET)并面向高频直流-直流转换器及医疗诊断仪器的应用。
宜普电源转换公司（EPC）宣布推出450 V并通常处于断开状态的增强型功率晶体管（EPC2027），可用于需要高频开关的应用，从而实现更高的效率及功率密度。受惠于采用高压并具备更快速开关特性的器件的应用包括超高频直流-直流转换器、医疗诊断仪器、太阳能功率逆变器及发光二极管照明等应用。
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EPC2101单片半桥式氮化镓功率晶体管为功率系统设计师提供增加效率及增加功率密度的解决方案。氮化镓器件可推动28 V转至1 V并在500kHz频率开关的全降压型转换器可以在14 A输出电流时实现接近87%系统效率，以及在30 A输出电流时可以实现超过82%效率。同时，与分立式解决方案相比，晶体管的占板面积减少50%。
宜普电源转换公司宣布推出60 V增强型单片半桥式氮化镓晶体管（EPC2101）。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为单个器件，可以除去互连电感及电路板上元件之间所需的空隙，使得晶体管的占板面积减少50%。结果是增加效率（尤其是在更高频率时）及提高功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2101 最理想的应用领域是高频直流-直流转换。
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氮化镓（GaN）场效应晶体管随时准备在电压调节器及直流-直流电源应用替代硅功率器件。 与硅MOSFET器件相比，氮化镓晶体管的开关速度快很多及具有更低的导通电阻（RDS(on)），从而可以实现具有更高功效的功率电源，对我们来说是好的。如果你正在使用氮化镓器件设计功率电路，你必需理解器件的开关速度。
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EPC2105氮化镓半桥器件为系统设计师提供更高效及具有更高功率密度的解决方案--推动48 V转至12 V并在300kHz频率下开关的全降压型转换器系统可以在10 A输出电流时实现高达接近98%效率，以及推动48 V转至1 V并在300kHz频率下开关的全降压型转换器系统可以在14 A输出电流时实现84%效率。
宜普电源转换公司宣布推出80 V增强型单片式半桥氮化镓晶体管（EPC2105）。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为单个器件，可以除去互连电感及印刷电路板上的空隙、提高效率（尤其是在更高频率时）及提高功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2105最理想应用于高频直流-直流转换及推动从48 V直接转至1 V系统负载的高效单级转换的应用。
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宜普公司为功率系统设计师提供一种上升时间为2奈秒(ns)并面向高频直流-直流转换器及医疗诊断仪器的300 V氮化镓场效应功率晶体管(EPC2025)。
宜普电源转换公司（EPC）宣布推出300 V功率晶体管（EPC2025），可用于需要高频开关的应用，从而实现更高效率及更高功率密度。受惠于更高开关速度的应用包括超高频直流-直流转换器、医疗应用的诊断仪器、功率逆变器及照明应用的发光二极管等。
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EPC2100氮化镓功率晶体管为系统设计师提供具更高效率及功率密度的全降压转换器系统在500 kHz、12 V转1.2 V、10 A时实现接近93%峰值效率，以及在25 A时效率可高于90.5%。
宜普电源转换公司宣布推出EPC2100- 第一个可供商用的增强型单片式半桥氮化镓晶体管。透过集成两个eGaN功率场效应晶体管形成单一元件可以去除互连电感及印刷电路板上的空隙。这样可以提高效率（尤其是在更高频率时）及功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。
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Long talked about, wide bandgap gallium nitride-on-silicon (GaN-on-Si) transistors are now commercially available. They are being touted for replacing silicon-based MOSFETs, which are turning out to be inefficient for many high-performance power supply designs. Recently, several suppliers of GaN-on-Si-based HEMTs and FETs have emerged in the marketplace, among them Efficient Power Conversion (EPC). To expedite the evaluation of eGAN FETs for power supply designs transitioning from silicon MOSFETs to eGaN FETs, EPC has released several development boards in the last few years.
By Ashok Bindra
Digi-Key Article Library
July 15, 2014
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氮化镓（eGaN®）功率晶体管继续为电源转换应用设定业界领先的性能基准。由于氮化镓器件具有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及卓越的热性能，因此使得功率转换器可实现超过98%的效率。
宜普电源转换公司宣布推出六个新一代功率晶体管及相关的开发板。这些由30 V至200 V的产品在很多应用可大大降低导通电阻（RDS(on)）并可增强输出电流性能，例如具高功率密度的直流-直流转换器、负载点（POL）转换器、直流-直流及交流-直流转换器的同步整流器、马达驱动器、发光二极管照明及工业自动化等广阔应用。
全新氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及相关开发板
| EPC2023 |
30 |
1.3 |
590 |
150 |
EPC9031 |
EPC9018 |
| EPC2024 |
40 |
1.5 |
550 |
150 |
EPC9032 |
|
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在过去几年间，无线电源传送应用逐渐流行，尤其是替便携式装置充电的应用。宜普公司在本章讨论使用松散耦合线圈、高度谐振的无线电源解决方案，符合A4WP标准并适合工作在免执照、給工業、科學及醫療用电器设备（ISM）使用的6.78 MHz或13.56 MHz頻率。
杂志：Bodo’s Power Systems
作者：Alex Lidow博士及Michael De Rooij博士
2014年5月
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This column evaluated the ability to parallel eGaN® FETs for higher output current applications by addressing the challenges facing paralleling high speed, low parasitic devices, and demonstrated an improved paralleling technique. For experimental verification of this design method, four parallel half bridges in an optimized layout were operated as a 48 V to 12 V, 480 W, 300 kHz, 40 A buck converter, and achieved efficiencies above 96.5%, from 35% to 100% load. The design method achieved superior electrical and thermal performance compared to conventional paralleling methods and demonstrated that high speed GaN devices can be effectively paralleled for higher current operation.
EEWeb
By: Alex Lidow
April, 2014
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宜普公司专家将于三个业界技术研讨会演讲：第十三届慕尼黑上海电子展 - 国际电力电子创新论坛、IIC电子工程盛会 - 2014年春季论坛及台湾宽能隙电力电子研发联盟举办的宽能隙电力电子国际研讨会。
硅基增强型功率氮化镓(eGaN®)功率晶体管之全球领导厂商宜普电源转换公司将于亚太区业界技术研讨会进行三场技术演讲。
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由于德国航空太空中心的机械人及机械电子研究院（Robotics and Mechatronics Institute ）对改善传感器及功率电子的兴趣很大，我们利用开发全新机械人的机会来评估宜普电源转换公司（EPC）的全新增强型氮化镓场效应晶体管技术并与我们目前最优秀的逆变器设计进行比较。
杂志 ：Bodo’s Power Systems
作者：德国航空太空中心 (DLR) Robin Gruber
日期：2014年3月
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The quality of sound reproduced by an audio amplifier, measured by critical performance parameters such as THD (Total Harmonic Distortion), damping factor (DF), and T-IMD (Inter-modulation Distortion), is influenced by the characteristics of the switching transistors used. Class-D audio amplifiers typically use power MOSFETs, however, lower conduction losses, faster switching speed, and zero reverse recovery losses provided by enhancement-mode GaN (eGaN) FETs enable a significant increase in the sonic quality, and higher efficiency that can eliminate heatsinks. The result is a system with better sound quality in a smaller form factor that can be built at a lower cost.
EEWeb
By: Alex Lidow
February, 2014
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本章展示氮化镓场效应晶体管如何推动具高度谐振、松散耦合性、工作在6.78 MHz ISM频带的无线电源传送技术，实现高效无线能源传送，并与工程师分享使用电压模式D类及E类方法的范例。
EEWeb
作者：Alex Lidow
日期：2014年1月
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本章我们回到讨论硬开关转换器，但不同的是晶体管在更高频率的条件下工作，超越硅技术的实际限制。
EEWeb
作者： Alex Lidow
2013年12月
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基于40Ｖ氮化镓场效应晶体管（EPC2014）的EPC9005开发板旨在帮助工程师于短时间内设计具备高频开关性能的电源转换系统
宜普公司宣布EPC9005开发板在中国荣获两个媒体颁发2013年度奖项，分别为今日电子杂志颁发2013年度十大电源产品奖的“优化开发奖”及EDN China杂志颁发2013年度中国创新奖的“优秀产品奖”。
“我们感到非常荣幸我司的产品得到今日电子杂志及EDN China杂志颁发2013年度奖项，表彰我们在技术创新方面所做出的努力。基于40 V氮化镓场效应晶体管（EPC2014）的EPC9005开发板可帮助工程师于短时间内设计具备高频开关性能的电源转换系统。EPC9005开发板是一种已制作好及易于连接的开发板，并备有完善归档的技术支持数据，使工程师可轻松地利用氮化镓场效应晶体管设计产品。在此我们再次感谢媒体朋友及工程师一直以来对我们的支持！”宜普公司首席执行官Alex Lidow说。
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在开关频率10 MHz或以上，电源转换需要具备高速开关的晶体管并配备在高频工作的封装。相比日渐老龄化的功率MOSFET器件，由于氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）提供无可匹敌的器件性能及封装，因此可以在高频时提高电源转换效率。
Bodo’s Power Systems
客席编辑： Alex Lidow
2013年11月
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增强型氮化镓场效应晶体管商用化已经超过四年，并不断渗透及进驻本来被硅功率MOSFET器件所垄断的应用领域。
Power Pulse
作者：Alex Lidow
2013年10月
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宜普公司的增强型氮化镓场效应晶体管备受推荐，其商用高铅含量的EPC2801、EPC2815及EPC2818器件现在可以在网上购买。
宜普公司（www.epc-co.com.cn）推出带高铅含量焊锡端子的器件，非常适合要求更高焊接温度的应用。EPC2801、EPC2815及EPC2818器件的焊接端子中的铅含量为95%，而锡含量为5%。
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