この論文では、並列構成で動作する窒化ガリウム（GaN）電界効果トランジスタ（FET）の動的電流分配の振る舞いに対する寄生容量の影響を検証します。GaN技術は、高性能パワー・エレクトロニクス・システムにおいて、ますます注目を集めており、複数のデバイスを並列接続することで、電流処理能力を向上させることが一般的な戦略となってきています。
Salvatore Musumeci PhD、Vincenzo Barba PhD、Michele Pastorelli教授、Marco Palma修士
オランダの出版社エルゼビアのウエブサイトScienceDirect
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