高信頼性パワー・ソリューション向けeGaN^® FETとIC

宇宙、高高度飛行、あるいは、高信頼性が要求される軍事用途などの過酷な環境で使われる電源は、電離放射線による損傷または誤動作に耐えなければなりません。

市販（COTS：Commercial-off-the-shelf）のeGaN FETとICは、成熟したシリコン・デバイスよりも小型、高効率で、低コストです。eGaN FETとICは、これらのシステムで通常使われる耐放射線特性を強化したデバイスよりも、電気的に40倍も優れた特性が得られます。これによって、衛星の電力やデータ伝送、ロボット、ドローン、および航空電力システム向けのまったく新しいアーキテクチャが実現可能になります。

EPC Space社の高信頼性（Rad Hard）GaNデバイスは、高信頼性用途や商用衛星の厳しい宇宙環境用途向けに特別に設計されています。これらの製品は、トータル・ドーズ（TID：Total Ionizing Dose）やシングル・イベント効果（SEE：Single Event Effects）の環境で優れた放射線性能を示しました。詳細については、[email protected]にお問い合わせください。

米Spirit Electronicsは、防衛や航空宇宙の市場における最先端の電力システムに、eGaN FETとICを採用するときにユーザーを支援するための流通サポートを提供しています。