GaN FETとICは、過酷な宇宙環境に耐えられるため、衛星用途での採用が拡大しています。 GaNは、その固有の放射線耐性と、極端な温度や電圧変動に対する耐性を備えているため、衛星システムに最適であり、軌道上での長期的な信頼性と性能を確かなものとします。GaNの高効率、小型なサイズ、軽量化は、衛星の小型化と打ち上げコストの削減に貢献します。
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