EPC2367：100 V、101 Aのエンハンスメント・
モードGaNパワー・トランジスタ

データシート

• EPC2367データシート

評価基板

品質と信頼性

• 品質評価レポート
• 信頼性レポート
• RoHSステートメント
• REACHステートメント
• 偽造声明
• 紛争鉱物（Conflict Mineral）ステートメント
• 製品材料の含有物質報告
  （Material Composition Declaration）

アプリケーション・ノート

• eGaN FETのアセンブリ
• eGaN® FETベースのパワー段を 最適なレイアウトで設計する方法
• eGaN FETの利用

デバイス・モデル

• PSPICE (.net)
• TSPICE (.sp)
• LTSPICE (.zip)
• Spectre Model (.scs)
• Altiumライブラリ (.zip)
• Thermal Model
• PLECS

設計ツール

• バック（降圧型）・コンバータ向けの GaN FETセレクション・ツール
• GaN FETサーマル・カリキュレータ
• GaNの話のサポート・フォーラム