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Efficient Power Conversion(EPC)、窒化ガリウム(GaN)統合パワー段を搭載した300 Wの双方向1/16ブリックを製品化、高密度コンピューティングやデータセンター向け

Efficient Power Conversion(EPC)、窒化ガリウム(GaN)統合パワー段を搭載した300 Wの双方向1/16ブリックを製品化、高密度コンピューティングやデータセンター向け

パワー段ePower™ StageのEPC2152は、パワー・モジュールのEPC9151で実証された高電力密度、低コストのDC-DC変換向けに、より高い性能とより小型なソリューションを実現可能にします。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は12月15日、わずか33 mm×22.9 mm(1.3×0.9インチ)と非常に小型の1/16ブリック形状の300 Wの双方向DC-DC電圧レギュレータ「EPC9151」を製品化したと発表しました。パワー・モジュールのEPC9151は、EPCのePower™ Stage集積回路であるEPC2152と、米マイクロチップ・テクノロジーのデジタル・シグナル・コントローラ(DSC)であるdsPIC33CKを搭載し、48 Vから12 Vへの降圧(または、12 Vから48 Vへの昇圧)の300 W のコンバータ設計で、効率95%以上が得られます。このスケーラブルな2相設計に、相を追加すれば、さらに電力を増やすことができます。

ブリックDC-DCコンバータは、データセンター、電気通信、自動車の各アプリケーションで広く使われており、公称48 Vを公称12 Vの分配バス(または、その逆)に変換できます。 GaN集積回路(IC)技術の進歩によって、ハーフブリッジとゲート・ドライバの集積化が可能になり、モジュールEPC9151で採用されたワン・チップ・ソリューションの EPC2152によって、これらのアプリケーションのレイアウトが簡素化され、面積が最小化され、コストが削減されました。

eGaN FETと集積回路は、最先端のコンピューティング・アプリケーションにおける電力密度の厳しい条件を満たすために必要な高速スイッチング、小型、低コストを提供します。EPC9151は、これらのアプリケーションにおける48 Vの電力変換の要件に対して、電力密度を高め、システム・コストを削減できる集積化したパワー段EPC2152の能力を発揮できる理想的な例です」とCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は述べています。

米国での参考価格と入手方法

デモ・ボードEPC9151の単価は414.00米ドルで、米Digi-Key社のウエブサイト(http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en)から入手でき、即座に配送されます。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡自動車パワー・インバータリモート・センシング技術(Lidar)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

報道関係の問い合わせ先

Renee Yawger ([email protected])

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。