クラウド・コンピューティング、ウエアラブル、機械学習、自動運転、IoTなどのアプリケーションの拡大が、データ集約型の世界に向けて牽引し、データセンターと電力消費に対する需要が高まっています。ACからDCへのスイッチング電源の効率、電力密度、コストの重要性が、超高効率の力率補正（PFC）フロントエンド整流器ソリューションを生み出すために、GaN FETのソリューションを推進しています。
トーテムポール PFCは、Titanium 80+の効率要件によって、最高の電力密度への要求が強くなっているため、データセンターの電源で一般的になりつつあります。GaN技術の高速スイッチング機能によって、PFC設計の効率を損なうことなく電力密度が向上します。
GaN FETとICは、400 Vのバス電圧を48 Vまたは12 Vに変換するPFCに続くDC-DC段の効率を高め、サイズを縮小します。2次側の同期整流回路では、GaN FETが、より低い電圧のゲート・ドライバ、より小さい導通損失、逆回復（QRR）ゼロ、より高いスイッチング周波数を実現できるため、MOSFETソリューションの最大1/15のサイズにできます。GaN FETは、同等のシリコンよりも並列化しやすく、電力と信頼性が高くなっています。GaN FETとICは、優れた熱特性も提供します。
EPCのアプリケーション・チームは常に、新しいリファレンス・デザインに取り組んでいます。リストされている基板で満たされていない要件がある場合は、「GaNのエキスパートに聞」から当社に連絡し、あなたのアプリケーションについてさらに話し合ってください。
ハーフブリッジ開発基板は、ほとんどのeGaN FETとICの素早い評価に利用できます。
ホワイト・ペーパー：ISOP構成の低電圧GaNを使った低コスト、薄型の800 VDCから12.5 VへのDC-DCコンバータ
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