EPC2307:200 V、130 Aのエンハンスメント・モードGaNパワー・トランジスタ

VDS, 200 V
RDS(on), 10 mΩ
ID, 48 A
パルス ID, 130 A

EPC2307 Enhancement Mode GaN Power Transistor
パッケージ・サイズ:3 mm x 5 mm

アプリケーション

  • 同期整流
  • AC/DC充電器、スイッチング電源、アダプタ
  • 高周波DC-DC変換
  • D級オーディオ
  • ワイヤレス・パワー伝送
  • 大電力LidarとdToF

特徴

  • 高効率化
    • 導通損失の低減
    • スイッチング損失の低減
    • 逆回復損失なし
  • 電力密度の向上
  • 超小型の実装面積
ステータス:エンジニアリング
購入時にサフィックスENG *で指定されたエンジニアリング・デバイスは、エンジニアリング・ステータスなので、各地域のフィールド・アプリケーション・エンジニアに最新のステータスを問い合わせずに、信頼性ストレス試験やその他の品質試験に使わないでください。
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