USB PD急速充電器
GaNベースのUSB PD急速充電器は、従来のシリコン・ベースの充電器よりも最大 40%小型化でき、2.5倍の速さで充電できます。GaNデバイスは、熱効率も高いので、熱として失われるエネルギーが少なくなり、より大きなエネルギーが充電中の機器に送られます。
GaNは、小型化、高効率化、優れた熱特性を可能にします。
AC/DC電源、アダプタ、充電器
GaNはスイッチング損失が小さいため、シリコン・ベースの設計と比べて、より高いスイッチング周波数とより高い電力密度が可能になります。これによって、より小型で軽量な設計を実現するためのより小型の受動部品の利用が可能になります。
サイズが小さいにもかかわらず、GaN FETとICは、シリコンよりも優れた熱特性が得られます。この能力によって、より高効率な動作に加えて、より高効率な冷却が可能になり、アダプタを冷却し、熱による損傷から安全を保ちます。
EPCのアプリケーション・チームは常に、新しいリファレンス・デザインに取り組んでいます。リストされている基板で満たされていない要件がある場合は、「GaNのエキスパートに聞」から当社に連絡し、あなたのアプリケーションについてさらに話し合ってください。
ハーフブリッジ開発基板は、ほとんどのeGaN FETとICの素早い評価に利用できます。
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