EPCの窒化ガリウム(GaN)デバイスは、シリコンMOSFETの2倍の電力密度を実現し、ヒートシンクを必要としないので、大電力の家庭用オーディオ、プロフェッショナル・オーディオ、自動車やボートのオーディオなどの用途で、出力段の小型化が容易になります。GaN技術によって、小型で発熱が少なく、スケーリングしやすいオーディオ・アンプ・ソリューションのサウンドが得られます。
性能指数(FOM:figure of merit、オン抵抗×ゲート電荷)がシリコンMOSFETの1/5以下、逆回復電荷がゼロ、線形の出力容量Cossを備えた80~200 VのGaNソリューションは、オーディオ・システムに前例のない価値をもたらします。
D級オーディオの窒化ガリウム技術には、100 W/チャネルを超える大出力で次のような利点があります:
EPCのディスクリートおよび集積化したGaNソリューションは、オーディオ設計コミュニティが革新的なオーディオ製品を設計できるようにする基本的なビルディング・ブロックを提供します。 より小さな形状のアプリケーションを設計し、熱の問題を克服し、オーディオ性能を向上させ、窒化ガリウム技術を使って優れたリスニング体験を実現します。
EPCのアプリケーション・チームは常に、新しいリファレンス・デザインに取り組んでいます。リストされている基板で満たされていない要件がある場合は、「GaNのエキスパートに聞」から当社に連絡し、あなたのアプリケーションについてさらに話し合ってください。
ハーフブリッジ開発基板は、ほとんどのeGaN FETとICの素早い評価に利用できます。
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