太陽光発電のアプリケーション

太陽光発電は、再生可能でクリーンな電力源を提供します。太陽光発電は、スケーラブルでもあり、一軒の家に電力を供給するために使うことも、産業規模で展開することもできます。

太陽光発電のアプリケーションは、20年以上の長寿命、優れた熱特性、および同じ大きさで電力を増やすか、または、パネルとの統合を可能にするかするための高電力密度を保証する必要があります。

GaNデバイスは、効率、サイズ、重さ、および長寿命の点で大きな利点があるため、太陽光発電のアプリケーションに広く採用されています。

GaNデバイスは、マイクロインバータ、または分離したMPPT（最大電力点追従制御）／オプティマイザの1次側に最適です。バッテリーのエネルギー貯蔵システムやストリング・インバータのマルチレベル構成にも使えます。

近日公開！

• マイクロインバータのリファレンス・デザイン
•オプティマイザのリファレンス・デザイン

EPCのアプリケーション・チームは常に、新しいリファレンス・デザインに取り組んでいます。リストされている基板で満たされていない要件がある場合は、「GaNのエキスパートに聞」から当社に連絡し、あなたのアプリケーションについてさらに話し合ってください。

ハーフブリッジ開発基板は、ほとんどのeGaN FETとICの素早い評価に利用できます。

型番	狀況	構成	V_DS 最大	V_GS 最大	最大 R_DS(on) (mΩ) @5V_GS	Q_G 標準値 (nC)	Q_GS 標準値 (nC)	Q_GD 標準値 (nC)	Q_OSS 標準値 (nC)	I_D (A)	パルス I_D (A)	パッケージ (mm)
EPC2218A	Preferred	シングル AEC	80	6	3.2	10.5	3.2	1.5	46	60	231	LGA 3.5 x 1.95	購入
uP1966E	Preferred		85									BGA 1.6 x 1.6	購入
EPC2044	Preferred	シングル	100	6	10.5	4.3	1.3	0.5	15	9.4	89	BGA 2.15 x 1.25	購入
EPC23102	Engr	ハーフブリッジ構成ePower™パワーステージ	100		6.6				28	35		QFN 3.5 x 5	購入
EPC23102	Engr	ハーフブリッジ構成ePower™パワーステージ	100		6.6				28	35		QFN 3.5 x 5	購入
EPC2204	Preferred	シングル	100	6	6	5.7	1.8	0.8	25	29	125	LGA 2.5 x 1.5	購入
EPC2619	Preferred	シングル	100	6	4.2	8.5	2.2	1	27	29	164	LGA 2.5 x 1.5	購入
EPC23101	Engr	ハーフブリッジePower™チップ・セット	100	6	3.3				50	65	240	QFN 3.5 x 5	購入
EPC2306	Engr	シングル	100	6	3.1	12.3	4.3	1.1	44	48	197	QFN 3 x 5	購入
EPC2088	Preferred	シングル	100	6	3.2	12.5	4.4	1.4	47	60	231	LGA 3.5 x 1.95	購入
EPC2071	Preferred	シングル	100	6	2.2	18	6	1.8	71	64	350	LGA 4.45 x 2.3	購入
EPC2302	Preferred	シングル	100	6	1.8	23	8.9	2.3	85	101	408	QFN 3 x 5	購入
EPC2308	Engr	シングル	150	6	6	10.6	3.8	1.4	50	48	157	QFN 3 x 5	購入
EPC2305	Preferred	シングル	150	6	3	22	6.6	2.1	103	102	329	QFN 3 x 5	購入
EPC2059	Preferred	シングル	170	6	9	5.7	1.3	0.9	35	24	102	LGA 2.8 x 1.4	購入
EPC2207	Preferred	シングル	200	6	22	4.5	1.3	0.7	23	14	54	LGA 2.8 x 0.925	購入
EPC2215	Preferred	シングル	200	6	8	13.6	3.3	2.1	69	32	162	LGA 4.6 x 1.6	購入
EPC2050	Preferred	シングル	350	6	80	2.9	1.3	0.3	35	6.3	26	BGA 1.95 x 1.95	購入