航空宇宙や防衛のGaNのアプリケーション

DC-DC電力変換

GaNは効率を高め、サイズと重さを削減し、信頼性を向上させます

電源設計者は、GaN技術によって、大きさと重さ、効率、EMI(電磁干渉)雑音、電力密度に対する設計を最適化できます。スイッチング能力の向上と寄生成分の低減は、損失の低減につながるので、技術者はスイッチング周波数を高めて、磁気部品の大きさと重さの削減、ヒートシンクの削減または排除、銅損の低減を実現できます。これらの利点によって、効率を犠牲にすることなく、システムの大きさと重さを全体的に削減できます。GaNベースの電源は、深宇宙や惑星間宇宙探査に加えて、マイクロ、低地球軌道(LEO)、静止地球軌道(GEO)の各衛星、ロボット搭載電源の小型軽量化、およびその他の信頼性の高い航空宇宙システムや防衛システムにおいて、より高い周波数、より高い効率、高い電力密度で動作します。

デバイスの電圧範囲は、幅広いバス電圧とディレーティング(定格低減)要件に対応する15 V~350 V

GaN DC-DC Data Center

リファレンス・デザイン

航空宇宙や防衛のDC-DCリファレンス・デザイン

型番 構成 VIN VOUT lOUT
(A)
FSW
(kHz)
搭載製品  
EPC9159 Demonstration Board
EPC91591 kWで48 V/12 Vの間の双方向LLCコンバータ12 V - 52 V12 V83 A1600EPC2619
EPC2067
購入
EPC9157 開発基板
EPC9157 300 W 1/16ブリック評価モジュール 18 V - 60 V 12 V 25 A 500 EPC2218 購入
EPC9143 開発基板
EPC9143 300 W 1/16ブリック評価モジュール 18 V - 60 V 12 V 25 A 500 EPC2053 購入
EPC9151 開発基板
EPC9151 300 Wの双方向1/16ブリック評価モジュール12 V – 15 V (昇圧)48 V (昇圧)5.5 A (昇圧) 500 EPC2152 購入
EPC9148 開発基板
EPC9148 48 V入力、19 V出力の超薄型マルチレベル・コンバータ 44 - 60 V 19 V 12.5 A 400 EPC2053 購入
EPC9153 開発基板
EPC9153 250 Wの高効率、薄型バック・コンバータ 44 - 60 V 12 - 20 V 12.5 A 400 EPC2218 購入
EPC9166 開発基板
EPC9166 500 W 12 V入力の昇圧型コンバータ 9 V - 28 V 再構成可能:
36 V、 48 V、 60 V
16 A @ 36 VOUT
11 A @ 48 VOUT
8 A @ 60 VOUT
490 EPC2218 購入
sgrb10020s 開発基板
SGRB10020S 95 V - 105 V16 V - 23.5 V 購入
sgrb10028s 開発基板
SGRB10028S 95 V - 105 V12 V - 28 V 購入
sgrb12028s 開発基板
SGRB12028S 98 V - 136 V12 V - 28 V 購入

EPCのアプリケーション・チームは常に、新しいリファレンス・デザインに取り組んでいます。リストされている基板で満たされていない要件がある場合は、「GaNのエキスパートに聞」から当社に連絡し、あなたのアプリケーションについてさらに話し合ってください。

ハーフブリッジ開発基板は、ほとんどのeGaN FETとICの素早い評価に利用できます。

製品

航空宇宙や防衛のDC-DC変換向けに推奨するデバイス

型番 狀況 構成 VDS
最大
VGS
最大
最大
RDS(on)
(mΩ)
@5VGS
QG
標準値
(nC)
QGS
標準値
(nC)
QGD
標準値
(nC)
QOSS
標準値
(nC)
ID (A) パルス ID
(A)
パッケージ
(mm)
EPC7002 Engr シングル放射線耐性 40 6 14.5 2.9 1 0.4 6.6 10 62 LGA 1.7 x 1.1 EPCに問い合わせ
EPC7001 Engr シングル放射線耐性 40 6 4 11 3.6 1.7 26 60 250 LGA 4.1 x 1.6 EPCに問い合わせ
EPC7019 Engr シングル放射線耐性 40 6 1.5 23 7.6 3.4 51 95 530 LGA 6.05 x 2.3 EPCに問い合わせ
EPC7014 Preferred シングル放射線耐性 60 6 340 0.142 0.043 0.025 0.764 2.4 4 BGA 0.9 x 0.9 EPCに問い合わせ
EPC7003 Engr シングル放射線耐性 100 6 30 1.8 0.6 0.3 9.4 10 42 LGA 1.7 x 1.1 EPCに問い合わせ
EPC7004 Engr シングル放射線耐性 100 6 7 6.4 2.2 1.1 37 60 160 LGA 4.1 x 1.6 EPCに問い合わせ
EPC7018 Engr シングル放射線耐性 100 6 3.9 15.2 4 2.6 77 90 345 LGA 6.05 x 2.3 EPCに問い合わせ
EPC7007 Engr シングル放射線耐性 200 6 25 5.4 1.5 1 37 20 80 LGA 3.6 x 1.6 EPCに問い合わせ
EPC7020 Engr シングル放射線耐性 200 6 11 11.7 3.5 2.2 76 39 170 BGA 4.6 x 2.6 EPCに問い合わせ
GaN Power Bench

あなたの設計プロセスを支援するために、クロス・レファレンス検、設計ツール、モデル、およびGaN Power Benchの特性シミュレーションにアクセスしてください。

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技術資料

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