EPC9078：100 V、20 Aの開発基板
開発基板のEPC9078は、最大デバイス電圧100 V、最大出力電流20 Aで、ゲート駆動回路を備えたハーフブリッジです。エンハンスメント・モード（eGaN®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC2045を搭載しています。
GaN FETのEPC2045の評価プロセスを単純化するために、任意の既存のコンバータに簡単に接続できる単一基板に、すべての重要な部品が搭載されています。
ステータス:廃止
GaNのエキスパートたちは、新しい設計に EPC9097を提案しています。