EPC9080:開発基板

EPC9080:100 V, 30 Aの開発基板

EPC9080 LiDAR Demo

T開発基板のEPC9080は、最大デバイス電圧100 V、最大出力電流30 A、ゲート駆動回路を備えたハーフブリッジです。高降圧比、大電流の用途向けに設計されたエンハンスメント・モード(eGaN®)電界効果トランジスタ(FET)のEPC2045EPC2022を搭載しています。

評価プロセスを単純化するために、任意の既存のコンバータに簡単に接続できる単一基板に、すべての重要な部品が搭載されています。

ステータス:廃止
GaNのエキスパートたちは、新しい設計に EPC90133を提案しています。
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

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EPC9080 Parameters Table
(1)最大入力電圧は、誘導性負荷に依存し、EPC2045では、スイッチ・ノードの最大リンギングが100V以下に保たれなければなりません。
(2)最大電流は、チップ温度に依存します:実際の最大電流は、スイッチング周波数、バス電圧、熱冷却の影響を受けます。
(3)ハイサイドのブートストラップ電源電圧を「リフレッシュ」するために必要な時間によって制限されます。