EPC9002C：ゲート駆動を備えた100 Vのハーフブリッジ
開発基板のEPC9002Cは、最大デバイス電圧100 V、最大出力電流10 Aで、ゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジです。エンハンスメント・モード（eGaN®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC2001Cを搭載しています。
この開発基板の目的は、任意の既存のコンバータに簡単に接続できる単一基板にすべての重要な部品を搭載することによって、eGaN FETのEPC2001Cの評価プロセスを単純化することです。
ステータス:廃止
GaNのエキスパートたちは、新しい設計に EPC9097を提案しています。