EPC9006C:開発基板

EPC9006C:100 Vのハーフブリッジ開発基板

EPC9006Cは、デバイスの最大電圧100 V、最大出力電流7 Aで、ゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジ構成の開発基板です。デバイスは、エンハンスメント・モード(eGaN®)電界効果トランジスタ(FET)のEPC2007C を搭載しています。

この開発基板の目的は、任意の既存のコンバータに簡単に接続することができる単一基板上に、すべての重要な部品を搭載することによって、eGaN FETである EPC2007C の評価プロセスを単純化することです。

ステータス:廃止
テストと性能の検証のみを目的として開発した完全に組み立てられたリファレンス・デザインであり、販売していません。
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* 誘導性負荷と仮定し、最大電流は、チップ温度に依存します:実際の最大電流は、スイッチング周波数、バス電圧、温度の影響も受けます。
# ハイサイドのブートストラップ電源を「リフレッシュ」するために必要な時間に依存します。